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台积电拟向3纳米线宽半导体投资超200亿美元

2017-12-16 来源:互联网 阅读次数:
  导读:   据《日本经济新闻》12月10日报道,全球最大半导体代工企业台湾积体电路制造(简称台积电、TSMC)联合首席执行官(CEO)刘德音12月7日表示,将向电路线宽为3纳米(纳米为10亿分之1米)的新一代半导体投资超过200亿美元。通过对尖端领域投入巨资,...

  据《日本经济新闻》12月10日报道,全球最大半导体代工企业台湾积体电路制造(简称台积电、TSMC)联合首席执行官(CEO)刘德音12月7日表示,将向电路线宽为3纳米(纳米为10亿分之1米)的新一代半导体投资超过200亿美元。通过对尖端领域投入巨资,台积电领先于韩国三星电子等竞争对手。

  资料图

  刘德音7日下午在台湾北部新竹发表演讲时透露了上述消息。目前美国苹果新款iPhone等配备的10纳米线宽半导体属于最尖端产品。7纳米产品将于2018年启动量产,3纳米产品预计2022年量产。目前已具体落实3纳米产品项目的企业只有台积电。新工厂建在台南。

  半导体大体上分为负责存储的存储器和负责运算的逻辑半导体。台积电的产品以逻辑半导体为主,目前多面向智能手机。该公司认为,2018年7纳米产品量产以后,在面向人工智能(AI)和数据中心方面的需求有望激增。

  在半导体领域,缩小电路线宽成为降低成本和提高性能的关键。一方面,电路线宽的缩小导致生产难度提高,制造设备的价格正在暴涨。荷兰半导体设备厂商阿斯麦(ASML)开发的“极紫外光刻(EUV光刻)”设备每台售价超过1亿欧元。

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